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机译:通过窄孔的MOCVD选择性生长InP及其在InP HBT外源性基础再生中的应用
Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA 93117, USA;
A3. metalorganic chemical vapor deposition; A3. selective epitaxy; B2. semiconducting Ⅲ―Ⅴ materials; B3. bipolar transistor;
机译:通过重掺杂非本征基极区的选择性MOCVD生长来增强InP / InGaAs HBT中的f / sub max /
机译:InP发射极和GaAs_(1-y)Sb_y之间应变的GaAs隔离层对MOCVD生长的InP / GaAs_(1-y)Sb_y / InP DHBTs的结构性能和电学特性的影响
机译:通过MOCVD在GaAs衬底上变质异质结构InP / GaAsSb / InP HBT
机译:InCVD通过狭窄的开口选择性生长InP的面积及其在InP HBT中的应用
机译:通过减少基极宽度和选择性外在基极再生长改善了HBT性能。
机译:InGaAs / InP核壳纳米线的自种MOCVD生长和显着增强的光致发光
机译:用于InP基HBT高功能性的InGaAsSb基材料的MOCVD生长和器件特性的研究
机译:用于HBT中子集合区域的mOCVD生长si掺杂n + Inp层。(重新公布新的可用性信息)