机译:金属有机化学气相沉积法生长单晶n型Zno的镓掺杂依赖性
Nanjing Univ, Key Lab Adv Photon & Elect Mat, Nanjing 210093, Peoples R China;
metal organic chemical vapor deposition; gallium doping; ZnO; MOLECULAR-BEAM EPITAXY; OXIDE THIN-FILMS; SI-DOPED GAN; OPTICAL-TRANSITIONS; LAYERS; PRESSURE; DEVICES; ZINC;
机译:金属有机化学气相沉积法生长n型单晶ZnO外延层的太赫兹介电响应和光导率
机译:金属有机化学气相沉积法生长n型单晶ZnO外延层的太赫兹介电响应和光导率
机译:使用二叔丁基硅烷金属有机源对金属有机化学气相沉积生长的氮化镓进行Si掺杂
机译:金属化学气相沉积种植N型Al0.5Ga0.5N层的硅掺杂依赖性
机译:通过蓝宝石上的金属有机气相沉积(MOCVD)生长的N型氮化镓的电学表征。
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:使用二叔丁基硅烷金属有机源对金属有机化学气相沉积生长的氮化镓进行Si掺杂