机译:分子束外延在Ge衬底上生长InN
Georgia Inst Technol, Sch Elect & Comp Engn, Atlanta, GA 30332 USA;
molecular beam epitaxy; semiconducting germanium; heterojunction semiconductor devices; semiconducting III-V materials; FUNDAMENTAL-BAND GAP;
机译:等离子体辅助分子束外延技术调节有效带隙并找到GaN /蓝宝石衬底上InN薄膜的最佳生长条件
机译:等离子体辅助分子束外延对基质氮化对In2O3(111)上InN生长的影响
机译:通过分子束外延在Si(111)衬底上InN纳米柱的辅助生长
机译:通过电子回旋谐振等离子体辅助分子束外延生长的衬底偏置电压的影响
机译:等离子体辅助分子束外延的Inn / GaN多量子孔的生长和行为
机译:分子束外延生长的InGaN / InN异质界面上的高迁移率二维电子气
机译:SiC衬底的Si和C面上的InN纳米棒的分子束外延