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机译:在GaP(100)衬底上的InGaP变质缓冲层上生长的InGaP量子阱的室温黄琥珀色发射
Univ Calif San Diego, Dept Elect & Comp Engn, La Jolla, CA 92093 USA;
nanostructures; molecular beam epitaxy; phosphides; semiconducting indium gallium phosphide; STRAIN RELAXATION; GAAS;
机译:固体源分子束外延在线性梯度变质InGaP缓冲层上生长于GaAs衬底上的InGaAs / InP单量子阱结构
机译:具有在GaAs基材上生长的Ingaas有源区和Ingap变质缓冲层的光电探测器
机译:在半绝缘InGaP缓冲层上生长的InGaP / GaAs异质结双极晶体管
机译:GaAs衬底上生长的变质InGaP缓冲In_(0.53)Ga_(0.47)As p-i-n光电探测器的10Gbps操作
机译:GaP和GaAsP上的应变平衡InGaP / InGaP多量子阱电吸收调制器。
机译:电子束法表征MOCVD InGaP / GaAs结中界面处多余层的化学性质
机译:在Gaas衬底上通过金属有机化学气相沉积生长的InGaas / InGaasp / InGap量子阱激光二极管的界面结构
机译:使用siGe缓冲层在si衬底上生长的单结InGap / Gaas太阳能电池