机译:β-FeSi_2单晶的化学汽相生长条件
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 1-1, Katahira 2-chome, Aobaku, Sendai 980-8577, Japan;
A1. Growth from vapor; A2. Single-crystal growth; B2. Semiconducting silicon compounds;
机译:化学气相传输法生长β-FeSi_2单晶
机译:在Si衬底上形成的β-FeSi_2晶种上的β-FeSi_2金属有机化学气相沉积
机译:硼源对化学气相迁移法生长砷化硼单晶的影响
机译:化学气相传输法生长ZnO单晶
机译:化学气相沉积法在单晶铜表面上生长外延石墨烯
机译:金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上催化剂辅助大面积生长单晶β-Ga2O3纳米线
机译:通过化学蒸气运输,种子高质量过渡金属二甲胺化物单晶的生长
机译:化学气相输运法生长金红石单晶