机译:表面活性剂介导的GaInP和GaP生长过程中的锌增强
MIT Lincoln Laboratory, 244 Wood St., Lexington, MA 02420, USA;
A1. Doping; A1. Surfactants; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:在倒置多结太阳能电池的MOVPE生长期间,点缺陷在AlGaInP / GainP系统中辅助Zn扩散
机译:通过在有机金属气相外延生长期间添加表面活性剂来增强GaInP外延层的成分调制
机译:金属有机物VPE电子迁移率的增长增强了GaInP / GaInAs伪晶二维FET结构
机译:使用替代光源通过化学束外延生长InP,GaP和GaInP
机译:离子蚀刻和表面活性剂介导的生长的成核和生长机理。
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机译:研究倡议(RI)通过促进臭氧源和抗氧化锌细胞增强氧化物mBE生长的建议