机译:ZnO薄膜的电化学沉积及其光致发光性能
Nagoya Univ, Grad Sch Engn, Dept Mol Design & Engn, Nagoya, Aichi 4648603, Japan;
Musashi Inst Technol, Adv Res Labs, Tokyo 1580082, Japan;
Noritake Co Ltd, Aichi 4700293, Japan;
band gap; morphology; photoluminescence; electrochemical deposition; ZnO; EMITTING ZINC-OXIDE; LOW-TEMPERATURE ELECTRODEPOSITION; ROOM-TEMPERATURE; THIN-FILMS; FABRICATION; GROWTH;
机译:等离子体辅助金属有机化学气相沉积法热氧化Zn3N2薄膜制备的ZnO:N薄膜的光致发光特性
机译:用Ag纳米粒子嵌入ZnO薄膜喷射沉积的简单途径:Ag浓度对结构,形态,光学和光致发光性能的影响
机译:原子层沉积蒸发ZnO薄膜的时间分辨光致发光特性
机译:通过溅射沉积种植的超高质量ZnO薄膜的光致发光性能
机译:ZnO,TiO2和金刚石薄膜的纳米级表面和界面缺陷的光致发光和表面光电压研究。
机译:化学气相沉积与水热预处理相结合的自组装ZnO纳米线的温度依赖性光致发光性质
机译:掺杂浓度对由化学浴沉积法生长的内在N型ZnO(I-ZnO)和(Cu,Na和K)掺杂P型ZnO薄膜的光学和电性能的影响