机译:在邻域切割蓝宝石(0001)衬底上制备的AlGaN / GaN异质结构的晶体生长和表征
Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan, ROC;
A3. MOCVD; B1. AlGaN/GaN; B1. vicinal-cut sapphire; B3. schottky diode;
机译:通过MOCVD生长的邻近蓝宝石(0001)衬底上的GaN膜和AlGaN / GaN异质结构的表征
机译:rf-MBE生长和在相邻蓝宝石(0001)衬底上的AlGaN / GaN HEMT的表征
机译:Si衬底上的AlGaN / GaN单异质结构和AlGaN / GaN / AlGaN双异质结构场效应晶体管的材料生长和器件表征
机译:通过rf-MBE生长的相邻蓝宝石(0001)衬底上的AlGaN膜和AlGaN / GaN异质结构的表面形态
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:使用低Al组成的单个AlGaN层在Si衬底上生长高质量和均匀的AlGaN / GaN异质结构
机译:在蓝宝石衬底上生长的AlGaN / GaN异质结构中各层的内部应变和晶体结构
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管