机译:氮化蓝宝石上InN点的分子束外延
Departments of Chemistry and Physics, University of California, and Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA 94720, USA;
A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;
机译:分子束外延生长的稀氮化物InN(As)Sb量子阱和量子点的光学性质
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机译:等离子体辅助分子束外延技术调节有效带隙并找到GaN /蓝宝石衬底上InN薄膜的最佳生长条件
机译:分子束外延在R平面蓝宝石上的非极性A飞机和立方旅馆的增长
机译:六方氮化硼/石墨烯异质结构,六方氮化硼层和立方氮化硼纳米点的分子束外延生长
机译:分子束外延生长的InGaN / InN异质界面上的高迁移率二维电子气
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