机译:使用实时曲率,反射率和真实温度测量,在III型氮化物多晶片MOVPE中进行生长优化
Ferdinand-Braun-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, D-12489 Berlin, Germany;
A1. In situ characterization; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides;
机译:利用实时曲率,反射率和真实温度测量优化Ⅲ型氮化物多晶片MOVPE中的生长
机译:在硅和蓝宝石上同时进行第III族氮化物的金属有机生长过程中晶片曲率和真实温度的同时测量
机译:用于太阳能电池应用的单英寸和8 x 4英寸多晶片MOVPE系统上稀氮化物生长的比较
机译:InGa(AsP)生长期间在封闭耦合喷头MOVPE反应器中首次进行实时真实晶片温度和生长速率测量
机译:金属有机气相外延(MOVPE)的生长和III-氮化物异质结构的表征,用于电子设备。
机译:使用双芯光子晶体光纤传感器同时测量曲率应变和温度
机译:观察III族氮化物MOVPE过程中的生长
机译:通过mOVpE生长期间的垂直入射反射率测量原位生长速率