机译:波长可调(1.55μm区域)InAs / InGaAsP / InP(100)量子点的堆叠,偏振控制和激光发射
EiTT/COBRA Inter-University Research Institute on Communication Technology, Eindhoven University of Technology, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands;
A1. Quantum dot; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; B1. InAs; B1. InGaAsP; B1. InP (100); B3. Laser diodes;
机译:波长可调(1.55μm区域)InAs / InGaAsP / InP(1 00)量子点的堆叠,偏振控制和激光发射
机译:波长可调(1.55μm区域)InAs / InGaAsP / InP(100)量子点的堆叠和偏振控制
机译:发射通过金属有机气相外延生长的波长可调(1.55μm区域)InAs / InGaAsP / InP(100)量子点
机译:在1.5 µm至1.8 µm范围内的Modelocked和可调式InAs / InP(100)量子点激光器
机译:GaAs(100)上应变InAs岛量子盒的分子束外延生长:生长动力学,垂直自组织和激光特性
机译:通过化学束外延法对InAs / GaAs量子点可调的发射波长进行光学相干层析成像
机译:波长可调(1.55μm区域)InAs / InGaAsP / InP(100)量子点的堆叠和偏振控制
机译:Inp衬底上Inas量子点激光的激光特性