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机译:高温对具有多量子势垒的InGaN / GaN蓝色发光二极管的光学性能的影响
Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, 259 Wen-Hwa 1st Road, Kwei-Shan, Too-Yuan, Taiwan, Republic of China;
A1. Excitation cross sections; A3. Multiple quantum well; A3. Multiquantum barrier; B3. Light-emitting diodes;
机译:一维Au纳米粒子光栅的InGaN / GaN多量子阱发光二极管的光学特性
机译:紫色,蓝色和绿色Ingan / GaN单量子孔发光二极管光学性能的温度依赖性
机译:基于GaN / InGaN / AlGaN / InGaN / GaN的梯度成分的InGaN基蓝色发光二极管的载流子分布改善
机译:具有多量子势垒的InGaN / GaN蓝色发光二极管中的表面态电荷波动对载流子动力学的影响
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:等温GaN覆盖层对硅衬底上绿色发光二极管的InGaN / GaN多量子阱的影响
机译:最后势垒对蓝色InGaN / GaN发光二极管效率提高的影响