机译:通过VLS机理在6H-SiC衬底上生长的3C-SiC岛的显微组织研究
Solid State Physics Section, Department of Physics, Aristotle University of Thessaloniki, 54124 Thessaloniki, Greece;
A1. electron microscopy; A1. structural defects; A3. liquid-phase epitaxy; B2. semiconducting silicon compounds;
机译:Sn基熔体中6H-SiC衬底上生长的(111)3C-SiC层的VLS的结构和光学研究
机译:在6H-SiC上通过VLS生长的(111)3C-SiC种子上LPE生长的SiC外延层中的缺陷诱导多型转变
机译:使用CVD生长的3C-SiC种子层通过VLS传输在硅衬底上外延生长3C-SiC
机译:VLS机制对GA掺杂对6C-SIC层结构的影响的TEM研究
机译:在不匹配的锗和硅锗/硅衬底上生长的外延砷化镓材料中的缺陷的微观结构研究。
机译:HVPE生长的GaN晶体中的应力对MOCVD-GaN / 6H-SiC衬底的影响
机译:在无台阶表面异质外延过程中在4H-和6H-siC衬底台面上生长的3C-siC薄膜的表征
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究