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机译:离轴Gan衬底对M平面Ingan / gan发光二极管光学性能的影响
Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106-5055, USA;
a1. crystal morphology; a3. metalorganic chemical vapor deposition; b1. nitrides; b3. light emitting diode;
机译:在自由m平面GaN衬底上的非极性m平面InGaN / GaN发光二极管的演示
机译:载气和衬底取向错误对m面InGaN / GaN发光二极管的结构和光学性质的影响
机译:在独立m面GaN衬底上生长的InGaN / GaN发光二极管的形态演变
机译:在m平面GaN衬底上生长的420 nm InGaN基激光二极管的光学增益和吸收
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:LiAlO2(100)衬底上的非极性m平面薄膜GaN和InGaN / GaN发光二极管