机译:超声喷涂辅助Movpe和缓冲层增强Zno层中的电子迁移率
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Katsura, Nishikyo-ku, Kyoto 615-8510, Japan;
a1. impurities; a3. metalorganic vapor phase epitaxy; b1. oxide; b1. zinc compounds;
机译:在Al:ZnO缓冲层上生长的ZnO纳米线阵列及其增强的电子场发射
机译:通过MOVPE在掺有Fe的GaN缓冲层的蓝宝石上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:金属氧化物半导体界面缓冲层在硅衬底上提高绝缘体上极薄的ln_(0.7)Ga_(0.3)As绝缘体上金属氧化物半导体场效应晶体管的电子迁移率
机译:通过在氮气氛中使用多个缓冲层工艺来增强Al掺杂的ZnO超薄膜上的光电性能
机译:半透明氧化锌:低温制备的铝/铜(I)氧化物薄膜异质结:结处本征ZnO缓冲层的作用
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:使用SCAPS -1D通过后反射和缓冲层提高CZT / CDS / ZnO / ITO太阳能电池的效率