机译:Movpe氧化铝对Gaas表面的原位钝化。
Department of Electrical Engineering and Information Systems, School of Engineering, The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan;
a1. adsorption; a1. desorption; a1. surface processes; a3. metalorganic vapor phase epitaxy; b2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:GaP MOVPE原位抗氧化AlP的解吸钝化处理
机译:金属有机气相沉积法原位制备GaAs基场效应晶体管中的氧化铝作为钝化层和栅极绝缘体
机译:金属有机气相沉积法原位制备GaAs基场效应晶体管中的氧化铝作为钝化层和栅极绝缘体
机译:InGaAs(001)和(110)表面上的表面缺陷钝化,为后续的栅极氧化物ALD做准备
机译:第1部分。涉及在氧化镁,氧化铝和氧化锌上的环戊二烯基三羰基钨酸盐(1-)的表面有机金属化学和催化。第2部分。原位X射线吸收光谱法表征用于N-己烷加氢裂化/异构化的铂丝光催化剂。
机译:采用原位表面钝化的GaAs纳米柱阵列太阳能电池
机译:金属有机气相沉积法原位制备GaAs基场效应晶体管中的氧化铝作为钝化层和栅极绝缘体