机译:金属有机气相沉积法原位制备GaAs基场效应晶体管中的氧化铝作为钝化层和栅极绝缘体
机译:金属有机气相沉积法原位制备GaAs基场效应晶体管中的氧化铝作为钝化层和栅极绝缘体
机译:金属有机气相沉积法原位制备GaAs基场效应晶体管中的氧化铝作为钝化层和栅极绝缘体
机译:通过MOCVD原位制备带有GaAs栅绝缘体的GaAs基金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有由金属 - 有机化学气相沉积形成的带A1O_X栅极绝缘体的低泄漏和降低的电流折叠Aigan / GaN异质结场效应晶体管
机译:氧化铝的金属有机化学气相沉积,用于高级栅极介电应用。
机译:聚合物电解质门控聚合物场效应晶体管中的金属-绝缘体转变之外
机译:AlN生长温度对原位金属有机化学气相沉积生长AlN / AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管的陷阱密度的影响