机译:Movpe对Gan:mn层的生长和表征
Institute of Chemical Technology, Technicka 5, 166 28 Prague 6, Czech Republic;
a3. metalorganic vapor-phase epitaxy; b1. nitrides; b2. magnetic materials; b2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:MOVPE在LiAlO_2(100)上生长m面GaN基层并进行表征
机译:蓝宝石衬底上GaN层的MOVPE生长和原位表征
机译:直径为100 mm的蓝宝石衬底上高Al含量的Al {sub} xGa {sub}(1-x)N / GaN HEMT层的MOVPE生长和表征
机译:GaAs(111)B与立方GaN(111)外延中间层的表征Movpe-生长的GaN层
机译:MOVPE生长的氮化镓基同轴LED的生长,加工和表征
机译:MOVPE生长条件对锗掺杂GaN层的影响
机译:用mOVpE生长GaN层的mn掺杂