机译:Ⅲ-Ⅴ族异质外延的锗外延晶片的分析
Instituto de Energia Solar, Universidad Politecnica de Madrid, ETSI de Telecomunicacion, Avda. Complutense s, 28040 Madrid, Spain;
a1. substrates; a1. surface processes; a3. metalorganic vapor-phase epitaxy; b2. semiconducting germanium;
机译:监控半导体缓冲器的效果
机译:Si(103)上锗的异质外延和锗的稳定表面
机译:1080 nm激光烧蚀下锗晶片的脱位分析
机译:He〜+等离子清洗InSb(112)B表面的化合物半导体异质外延
机译:硅上的硅锗和硅锗碳合金薄膜的异质外延和干式氧化(100)。
机译:用于可变形发光二极管的GaN微棒异质结构的远程异质外延和晶圆回收
机译:用于III-V异质外延的锗epiready晶片的分析
机译:监控Epiready半导体晶圆。