机译:Ga含量对Si上Ingas微通道选择性区移动的晶体形状的影响
Department of Electrical Engineering and Information Systems, School of Engineering, The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan;
a1. crystal morphology; a1. nucleation; a2. selective epitaxy; a3. metalorganic vapor-phase epitaxy; b2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:使用微通道选择性区域MOVPE通过多步生长在Si上形成双无InGaAs薄层
机译:使用微通道选择性区域金属有机气相外延在Si(111)上无位错InGaAs
机译:通过选择性区域MOVPE在GaAs(1 1 1)B上形成的晶格不匹配的InGaAs纳米线
机译:使用微通道选择性区域MOVPE生长的Si(111)衬底上InGaAs岛的光致发光
机译:单晶铁磁形状记忆镍锰镓薄膜的分子束外延生长及表征
机译:反应性磁控溅射外延在单模激光作用下在SiOx / Si(001)衬底上单晶纤锌矿GaN纳米棒的选择性区域生长
机译:使用选择性区域Movpe的多晶硅薄膜对GaAs纳米线生长
机译:用mOVpE生长的压缩应变InGaas / Inp量子阱的红外发光(1.6-1.9μm)。