公开/公告号CN110364418B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-23
原文格式PDF
申请/专利权人 华南理工大学;
申请/专利号CN201910581439.0
申请日2019-06-29
分类号H01L21/02(20060101);H01L31/18(20060101);H01L31/032(20060101);B01J27/04(20060101);
代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;
代理人何淑珍;冯振宁
地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号
入库时间 2022-08-23 12:51:01
机译: 使用直接生长在SiO2 / Si衬底上的薄缓冲层进行BST集成
机译: 由锌混合型(也称为“立方晶型”)形成的母晶体中含有纳米点(也称为“量子点”)的活性区域AlyInxGal-y-xN晶体(y [[□]] [≧ [0,x> 0)生长在Si衬底上,以及使用该衬底的发光器件(LED和LD)
机译: GaN半导体衬底和通过外延生长在GaN半导体衬底上制造的半导体器件