机译:高温MBE在GaAs衬底上生长zb型MnAs薄膜的磁性能
School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-860, Japan;
A1. Single crystal growth; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting gallium arsenide;
机译:精确(111)B GaAs衬底上单晶MnAs / AlAs / MnAs磁性隧道结的外延生长和磁性质:超薄GaAs缓冲层的影响
机译:生长温度对GaAs(100)衬底上外延生长的MnAs薄膜的磁和电子性能的影响
机译:在精确的GaAs(111)B衬底上生长的外延MnAs / NiAs / MnAs异质结构的生长和磁性
机译:精确111 B GaAs衬底上单晶MnAs / AlAs / MnAs磁性隧道结的外延生长和磁性能:超薄GaAs缓冲层的作用
机译:铁磁MnAs / GaAs异质结构和MnAs / InAs自旋LED的研究。
机译:有限尺寸对MnAs / GaAs(001)图案化微结构薄膜的结构和磁性的影响
机译:有限尺寸效应对mnas / Gaas(001)图案化微结构薄膜的结构和磁性能的影响
机译:mBE(分子束外延)在低衬底温度和生长速率下生长的Gaas薄膜的研究。