机译:气源分子束外延生长GaAsSbN中V族元素的结合行为
Graduate Institute of Electronics Engineering and Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan;
A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting quarternary alloys;
机译:等离子体种类对等离子体辅助气源分子束外延生长GaAsSbN氮结合的影响
机译:半绝缘InP:Fe用于气体源分子束外延生长的掩埋异质结构应变补偿量子级联激光器
机译:气源分子束外延生长GaAsSb外延层的取向依赖性相分离
机译:气源分子束外延生长GaAsSbN中V族元素的结合行为
机译:Si(1-x)Ge(x)(001)气源分子束外延期间的超高B掺杂:层生长动力学,掺杂剂掺入,电激活和载流子传输的机理研究。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:温度对分子束外延生长的Gaassbn / GaAs单量子孔光学性质的影响