机译:在r面蓝宝石衬底上以流率调制外延生长的高质量a面GaN
Graduate Institute of Electro-Optical Engineering and Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, 1, Roosevelt Road, Section 4, Taipei, Taiwan, ROC;
A1. Crystal morphology; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B3. Light-emitting diodes;
机译:通过在r面蓝宝石衬底上进行流调制外延和外延横向过生长来提高a面GaN的质量
机译:通过脉冲激光沉积和金属有机化学气相沉积相结合在r面蓝宝石衬底上生长的高质量非极性a面GaN外延膜
机译:等离子体辅助分子束外延在(1-102)r面蓝宝石衬底上生长的非极性(11-20)a面GaN的结构和光学性质
机译:在r面蓝宝石衬底上通过脉冲原子层外延生长的高质量a面GaN层
机译:通过金属有机气相外延在蓝宝石和块状氮化铝衬底上生长的掺硅氮化铝镓和紫外发光二极管的复合动力学
机译:HVPE在r面蓝宝石上生长的a面GaN模板中深陷阱能级的电子状态
机译:在R平面蓝宝石上的分子束外延生长的非极性A平面GaN的P-和N型掺杂