首页> 外文OA文献 >P- and N-type Doping of Non-Polar A-plane GaN Grown by Molecular-Beam Epitaxy on R-plane Sapphire

【2h】

P- and N-type Doping of Non-Polar A-plane GaN Grown by Molecular-Beam Epitaxy on R-plane Sapphire

机译：在R平面蓝宝石上的分子束外延生长的非极性A平面GaN的P-和N型掺杂

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
R. Armitage; Qing Yang; Eicke R. Weber;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2003
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Structural and optical properties of non-polar A-plane ZnO films grown on R-plane sapphire substrates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy [J] . S.K. Han, S.K. Hong, J.W. Lee, Journal of Crystal Growth . 2007,第2期

机译：等离子体辅助分子束外延在R面蓝宝石衬底上生长的非极性A面ZnO膜的结构和光学性质
2. Effect of additional hydrochloric acid flow on the growth of non-polar a-plane GaN layers on r-plane sapphire by hydride vapor-phase epitaxy [J] . Moonsang Lee, Dmitry Mikulik, Sungsoo Park, Journal of Crystal Growth . 2014,第octa15期

机译：氢化物气相外延对盐酸流对r面蓝宝石上非极性a面GaN层生长的影响
3. Improvement in the crystal quality of non-polar a-plane GaN directly grown on an SiO2 stripe-patterned r-plane sapphire substrate [J] . Yan Shen, Die Junhui, Wang Caiwei, CrystEngComm . 2019,第34期

机译：在SiO2条纹图案的R面蓝宝石衬底上直接生长非极性A平面Ga的晶体质量的改进
4. STRUCTURAL AND OPTICAL CHARACTERIZATION OF NON-POLAR A-PLANE GAN THIN FILMS GROWN ON R-PLANE SAPPHIRE VIA HIGH-TEMPERATURE ALN NUCLEATION LAYERS BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION [C] . D. Lu, A. Parekh, V. Merai, Proceedings vol.2004-06; Nitride and Wide Bandgap Semiconductors for Sensors, Photonics, and Electronics and State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors International Symposia and Meeting of the Electrochemical Society; 20041003-08; Honolulu,HI(U . 2004

机译：金属气相化学沉积法通过高温AlN成核层生长在R平面蓝宝石上的非极性A平面甘薄膜的结构和光学表征
5. Electrical, optical, and defect properties of carbon-doped gallium nitride grown by molecular-beam epitaxy. [D] . Armitage, Robert David. 2003

机译：通过分子束外延生长的碳掺杂氮化镓的电学，光学和缺陷性质。
6. Electronic states of deep trap levels in a-plane GaN templates grown on r-plane sapphire by HVPE [O] . Moonsang Lee, Thi Kim Oanh Vu, Kyoung Su Lee, -1

机译：HVPE在r面蓝宝石上生长的a面GaN模板中深陷阱能级的电子状态
7. MOCVD growth and optical properties of non-polar (1 12 0) a-plane GaN on (1 01 2) r-plane sapphire substrate [O] . Yu H., Ozturk, M., Demirel P., 2010

机译：（1 01 2）r平面蓝宝石衬底上非极性（1 12 0）a平面GaN的MOCVD生长和光学性质

P- and N-type Doping of Non-Polar A-plane GaN Grown by Molecular-Beam Epitaxy on R-plane Sapphire

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅