机译:垂直卤化物气相外延本体反应器中GaN的建模,优化和生长
Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, S-5S1 S3 Linkoping, Sweden;
A1. Fluid flows; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A2. Growth from vapor; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;
机译:用于块状GaN生长的氢化物气相外延反应器
机译:优化GaN卤化物气相外延生长的低温GaN缓冲层
机译:垂直氢化物气相外延反应器中块状GaN的生长
机译:氢化物气相外延反应器,用于GaN生长
机译:通过金属有机气相外延在蓝宝石和块状氮化铝衬底上生长的掺硅氮化铝镓和紫外发光二极管的复合动力学
机译:卤化物气相外延在锥形截肢型蓝宝石衬底上生长的α-GA2O3癫痫脱位的减少
机译:优化GaN卤化物气相外延生长的低温GaN缓冲层