机译:GaN / InGaN双异质结双极晶体管电流增益的低温特性
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;
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A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Bipolar transistors; B3. Heterojunction semiconductor devices;
机译:高电流增益直接生长GaN / InGaN双异质结双极晶体管
机译:通过有机金属化学气相沉积在蓝宝石和SiC衬底上生长的高电流增益渐变GaN / InGaN异质结双极晶体管
机译:高电流增益(β> 49)发光InGaN / GaN异质结双极晶体管的调制
机译:GaN / InGaN双异质结双极晶体管的高电流增益(<2000)和降低的共发射极偏置电压
机译:III型氮化物双极器件的开发:雪崩光电二极管,激光二极管和双异质结双极晶体管。
机译:硅基同质InGaN / GaN蓝色发光二极管反向漏电流特性的显着改善
机译:InGap / Gaassb / Gaas双异质结双极晶体管中电流增益的热稳定性
机译:用于大功率开关应用的siC双极晶体管和GaN异质结双极晶体管的探索性开发。