机译:在(311)B InP衬底上形成InAs量子点的临界厚度
FOTON, UMR 6082, INSA de Rennes, 20 avenue des Buttes de Coeesmes, CS 14315, 35043 Rennes Cedex, France;
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A1. reflection high-energy electron diffraction; A3. molecular beam epitaxy; A3. quantum dots;
机译:InP(100)和InP(311)B衬底上InAs / InP量子点的电子和光学性质:理论和实验
机译:通过自组织各向异性应变工程在InP(311)B衬底上形成二维InAs量子点阵列
机译:在InP(311)B衬底上生长的自组装InAs量子点:缓冲层的作用和沉积的InAs量
机译:通过SiO2溅射和退火技术在InP(311)B衬底上生长的高度堆叠的InAs / InGaAlAs量子点的混合
机译:INAS量子点激光在硅基板上的单片集成
机译:GaAs衬底取向对InAs量子点的影响:表面形态临界厚度和光学性质
机译:Sb在表面活性剂作用下在InP(113)B衬底上形成Volmer–Weber InAs量子点
机译:改善Inp基板上的Inas量子点的点尺寸均匀性和发光