机译:通过MOCVD在GaAs衬底上生长的ZnO膜:Zn缓冲液沉积对界面,结构和形态特性的影响
Departamento de Fisica Aplicada y Electromagnetismo, Universitat de Valencia, Dr. Moliner 50, 46100 Burjassot, Spain;
Departamento de Fisica Aplicada y Electromagnetismo, Universitat de Valencia, Dr. Moliner 50, 46100 Burjassot, Spain;
Departamento de Fisica Aplicada y Electromagnetismo, Universitat de Valencia, Dr. Moliner 50, 46100 Burjassot, Spain;
A1. High-resolution X-ray diffraction; A2. Metal-organic chemical vapour deposition; B1. Oxides; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting Ⅱ-Ⅵ materials;
机译:气相沉积法在GaAs衬底上生长的ZnO薄膜的结构和形貌表征
机译:以Zn和H_2O为原料的常压化学气相沉积法在离子镀Ga掺杂的ZnO缓冲层上生长的ZnO薄膜的结构和光学性质
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在GaAs衬底上沉积的ZnO薄膜的结构和光电性能
机译:ZnO膜在(0001)A1_2O_3和(111)Si衬底上沉积的ZnO膜通过MOCVD用作缓冲层的ZnO薄膜生长的GaN层
机译:通过脉冲激光沉积开发基于ZnO的薄膜晶体管和掺磷的ZnO和(Zn,Mg)O。
机译:金属有机化学气相沉积(MOCVD)异质外延Pr0.7Ca0.3MnO3薄膜的合成:工艺条件对结构/形态和功能特性的影响
机译:金属有机化学气相沉积(mOCVD)预测Gaas(001)衬底上生长的ZnO纳米线的结构性能