机译:入射激光能量对Hgcdte薄膜的脉冲激光沉积的影响
a1. crystal structure; a3. laser epitaxy; b1. cadmium compounds; b2. semiconducting Ⅱ-Ⅵ materials;
机译:目标衬底分离对脉冲激光沉积形成的HgCdTe膜的影响
机译:基板材料对Hgcdte薄膜的脉冲激光沉积的影响
机译:温度对HgCdTe薄膜脉冲激光沉积的影响
机译:激光入射能量对Cu_2ZNSNS_4薄膜的化学成分,晶体结构,形态和带隙的影响脉冲激光沉积
机译:通过高通量脉冲激光沉积的功能性金属氧化物薄膜进行高通量应用的开发
机译:在钠钙玻璃基板上通过脉冲激光沉积生长的ZnO膜,用于表皮葡萄球菌生物膜的紫外线灭活
机译:退火温度和激光脉冲能对脉冲激光沉积制备的CuO膜光学性质的影响
机译:用于激光器和准相位匹配器件的薄膜脉冲激光沉积。