机译:聚结时间对甘蓝宝石中无意掺杂的影响
Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge, CB2 3QZ, UK;
a1. doping; a1. defects; a3. metalorganic vapour phase epitaxy; b1. nitrides;
机译:掺有铁调制和无意掺杂GaN缓冲的蓝宝石上生长的GaN / AlGaN / AlN / GaN HEMT的比较:材料生长和器件制造
机译:氨分子束外延生长无意掺杂的SiC半绝缘GaN和蓝宝石上的高电阻GaN的生长动力学和电子性质
机译:高硅掺杂标记层在蓝宝石上GaN意外掺杂研究中的应用
机译:通过微波光电电导光衰减方法对蓝宝石衬底的GaN上的GaN的过量载体寿命测量
机译:化学气相沉积硼掺杂多晶金刚石薄膜在硅和蓝宝石上的生长:生长,掺杂,金属化和表征
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:氨分子束外延生长无意掺杂的SiC半绝缘GaN和蓝宝石上的高电阻GaN的生长动力学和电子性质
机译:蓝宝石和氢化物气相外延衬底上Er掺杂GaN的生长和形貌