机译:BGaAs的分子束外延生长和铋表面活性剂的影响
National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401, USA;
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A1. atomic force microscopy; A1. defects; A1. segregation; A3. molecular beam epitaxy; B1. boron compounds; B2. semiconducting ⅲ-ⅴ materials;
机译:通过用铟作为表面活性剂来克服M平面AlGaN生长的异常抑制
机译:使用增加的生长速率代替表面活性剂,通过分子束外延生长的GalnNAs太阳能电池的性能得到改善
机译:定期提供铟作为表面活性剂,用于等离子体辅助分子束外延生长N极InN
机译:表面活性剂介导的高应变III-V半导体异质结构的分子束外延
机译:在红外光电器件应用的稀氮化物半导体的分子束外延生长过程中,等离子体种类的影响。
机译:N2分压对液靶反应磁控溅射外延沉积GaN纳米棒生长结构和光学性能的影响
机译:Sb-表面活性剂介导的Si / Si1-yCy超晶格分子束外延生长