机译:原位EDXRD研究Cu(In,Ga)S_2薄膜在反应磁控共溅射过程中的形核和相形成
Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Department of Solar Fuels, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany;
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A1 Energy dispersive X-ray diffraction; A3 Reactive magnetron sputtering; B1 Cu(In,Ga)S_2; B3 Thin film solar cells;
机译:反应磁控共溅射电子回旋共振等离子体辅助沉积Cu(In,Ga)S_2薄膜的形貌和结构演变
机译:反应磁控共溅射过程中Cu(In,Ga)S_2薄膜的生长和形貌
机译:反应磁控共溅射原位生长Cu_2ZnSnS_4薄膜
机译:导电ZnO的结构,电气和磁力研究:DC反应磁控沉积沉积的CO薄膜
机译:原位光谱椭圆偏振法研究直流反应磁控溅射沉积的硅膜的结晶度和界面结构。
机译:射频磁控反应共溅射沉积CaO–CoO薄膜的两相转变法生长CaxCoO2薄膜
机译:三阶段混合共溅射/蒸发过程中温度和功率对Cu(In,Ga)Se 2薄膜形成的影响