Heavily carbon-doped GaAsSb grown on InP for HBT applications

S.P.Watkins; O.J.Pitts; C.Dale

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Heavily carbon-doped GaAsSb grown on InP for HBT applications

机译：在InP上生长的用于HBT应用的重掺杂碳的GaAsSb

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We present the results of Hall measurements on heavily carbon-doped GaAsSb epilayers grown by metalorganic chemical vapour deposition (MOVPE) on InP substrates. An extremely strong alloy scattering effect is observed in this material, dominating the Hall mobility even at doping levels in the 10~19 range. This effect is due to the very large (1eV) valence band offsef between GaAs and GaSb.

机译：我们介绍了在InP衬底上通过金属有机化学气相沉积（MOVPE）生长的重掺杂碳的GaAsSb外延层的霍尔测量结果。在这种材料中观察到极强的合金散射效应，即使在10〜19范围的掺杂水平下，也能控制霍尔迁移率。这种效应是由于GaAs和GaSb之间的价带隙非常大（1eV）。

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来源
《Journal of Crystal Growth》 |2000年第2000期|p.59-65|共7页
作者
S.P.Watkins; O.J.Pitts; C.Dale;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类晶体学;
关键词
Carbon doping; GaAsSb; Antimonides;

机译：碳掺杂;砷化镓锑化物;

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