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机译:In_0.53Ga_0.47As / GaAs_0.5Sb_0.5 II型多量子阱二极管的电致发光与InP晶格匹配
A3.Molecular beam epitaxy; A3.Quantum wells; B2.Semiconducting III-V materials;
机译:In_0.53Ga_0.47As / GaAs_0.5Sb_0.5 / In_0.52Al_0.48As与分子束外延生长的InP晶格匹配的非对称II型量子阱结构
机译:GaAs 0.5Sb_0.5和kIn 0.53Ga_0.47As / GaAs 0.5Sb_0.5的II型单异质结构与分子束外延生长的InP k衬底晶格匹配
机译:分子束外延在InP衬底上生长的In_(0.53)Ga_(0.47)As_(0.99)N_(0.01)/ GaAs_(0.5)Sb_(0.5)Ⅱ型量子阱发光二极管的电致发光
机译:IN_(0.53)GA_(0.47)的电致发光为/ GaAs_(0.5)SB_(0.5)II型多量子阱二极管晶格与INP匹配
机译:飞秒激光泵浦基于InP的量子阱激光二极管的超宽带超辐射脉冲。
机译:I型和II型三重态多量子阱结构对白色有机发光二极管的影响
机译:I型和II型三重态多量子阱结构对白色有机发光二极管的影响
机译:基于II型量子阱的量子级联发光二极管