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机译:硅外延膜生长的热壁和冷壁环境
A3.Chemical vapor deposition processes; A3.Hot wall epitaxy;
机译:300 mm UHV / CVD冷壁反应器中基于硅烷和乙硅烷的外延(100)硅的低温生长
机译:通过热壁和冷壁化学气相沉积法重新生长单壁碳纳米管
机译:在垂直热壁反应器中氯化物基CVD在4H-SiC外延生长期间消除硅液滴形成
机译:冷壁和热壁化学气相沉积(0001)C面基板的4H-SiC的外延生长
机译:通过管状热壁低压化学气相沉积系统选择性外延生长硅锗。
机译:通过极化旋转描述硅上(001)和(110)取向(PbMg1 / 3Nb2 / 3O3)2 / 3-(PbTiO3)1/3薄膜的外延特性
机译:热壁技术制备的外延锌和镉膜的X射线衍射研究
机译:外延氮化镓薄膜与硅基器件的生长与集成。