机译:CBE和等离子辅助MBE在GaAs(0 0 1)上生长GaN薄膜
A1. Nucleation; A3. Chemical beam epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;
机译:在邻近(001)GaAs衬底上生长的GaN的结构和光学性质与等离子体辅助MBE生长条件的相关性
机译:MBE用AlN / GaN有序合金在GaAs(100)上生长立方GaN膜-高质量立方GaN的新方法
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机译:等离子体辅助MBE在GaN / Al_2O_3上生长条件生长的INN薄膜的结构特性
机译:使用气体源和RF等离子体辅助金属 - 有机分子束外延对GaN薄膜生长的结构,形态和动力学
机译:在γ-LiAlO2(100)衬底上生长的M平面GaN薄膜的生长和表征
机译:三甲基镓和三乙基镓作为“ ga”源材料的比较,这些材料用于通过空心阴极等离子体辅助原子层沉积在Si(100)衬底上生长超薄GaN膜
机译:化学计量学对等离子体辅助mBE生长在Gaas上立方GaN中缺陷分布的影响