机译:栅控应变硅纳米线场效应晶体管中的硅锗结构
Department of Computational Nanoelectronics, Nano Device Laboratories, Hsinchu 300, Taiwan;
strained silicon; nanowire FET; surrounding-gate; drain induced barrier height lowering; threshold-voltage roll-off; gate capacitance; simulation;
机译:硅,硅锗(Si_(0.7)Ge_(0.3))和应变硅锗(Si_(0.8)Ge_(0.2)/ Si_(0.5)Ge_(0.5))纳米线中自旋弛豫的直径依赖性
机译:高迁移率沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的体硅基板上应变硅-锗梯度薄层上的纯锗外延生长
机译:在高迁移率沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的体硅衬底上的应变硅锗梯度薄层上纯锗外延生长
机译:围栅应变硅纳米线FET中的硅锗结构
机译:硅锗纳米线场效应晶体管的制备与表征
机译:全面了解硅纳米线场效应晶体管用于生物分子感测的阻碍读数
机译:低功率应用中的应变硅锗/硅异质结构隧道FET