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机译:包含单轴和双轴应变的纳米级MOSFET的分析
Fujitsu Laboratories Ltd. Fuchigami 50, Akiruno, Tokyo, 197-0833, Japan;
Monte Carlo; pseudo-potential; strain; Si; uniaxial; biaxial; ballistic transport; scaling;
机译:单轴和双轴应变对完全耗尽SOI nMOSFET线性度的影响分析
机译:在双轴应变n-MOSFET上实现高电子迁移率的单轴应力的优化
机译:单轴和双轴应变N-MOSFET中的迁移率
机译:单轴应力和双轴应变复合作用提高Ge p-MOSFET的空穴迁移率
机译:拉伸硅:单轴和双轴应变产生过程,以及绝缘体上硅MOSFET的迁移率提高。
机译:压阻式悬浮石墨烯膜的性质机电压力下单轴和双轴应变下的应力感测器
机译:γ射线辐射对单轴应变Si纳米尺度NMOSFET的通道电流的影响