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机译:NEGF模拟应变对比例双栅纳米MOSFET的影响
Device Modelling Group, University of Glasgow, Glasgow, G12 8LT, Scotland, UK;
strained silicon; double gate MOSFETs; thin-body architecture; non-equilibrium green's functions;
机译:应变对使用NEGF方法的双栅极纳米MOSFET结垢的影响
机译:双栅极MOSFET的Monte Carlo仿真和NEGF仿真的比较
机译:带有离散掺杂剂的无结Si栅极全能纳米线晶体管的NEGF模拟
机译:双栅极MOSFET的Monte Carlo和NEGF模拟的比较
机译:层层双氢氧化物纳米复合材料的大规模模拟
机译:用于基因组规模代谢网络重建的双重和多重敲除模拟
机译:NEGF模拟具有分立掺杂剂的无结si栅极全纳米线晶体管