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机译:基于静电掺杂的类MOS碳纳米管FET的性能优化
School of Computer, National University of Defense Technology, Changsha, Hunan, 410073, China;
rnSchool of Computer, National University of Defense Technology, Changsha, Hunan, 410073, China;
rnSchool of Microelectronics, Xidian University, Xi'an, Shanxi, 710000, China;
sub-threshold slope; ambipolar conductance; electrostatic doping; BTBT; CNFET;
机译:具有基于静电掺杂的真实源极/漏极触点的类MOS碳纳米管FET的性能优化
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