机译:用于45纳米技术的双刀四掷RF开关设计的双栅极CMOS分析
Department of Electronics and Communication Engineering, Jaypee University of Information Technology, Solan 173234,India;
VLSI Design Group, Central Electronics Engineering Research Institute (CEERI), Pilani 333031, India;
Department of Electronics and Communication Engineering, Jaypee University of Information Technology, Solan 173234,India;
4-nm technology; double-gate MOSFET; DP4T switch; radio frequency; RF switch; attenuation; CMOS switch; VLSI;
机译:45纳米技术中的双刀四掷双栅极RF CMOS开关的性能
机译:双刀四掷双门RF CMOS开关的电容模型和S参数
机译:使用开关电流接口系统的数字CMOS技术中的单片集成磁传感器的建模,设计和测试
机译:具有双栅晶体管的双刀四掷RF CMOS开关设计
机译:纳米级双栅CMOS器件和技术的建模和优化设计。
机译:使用65 nm CMOS技术单片集成的CMOS-NEMS铜开关
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