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机译:MIS电容器栅极氧化物的高k介电材料:界面状态对C-V特性的影响
Univ Monastir, Fac Sci Monastir, Lab Microelect & Instrumentat LR13ES, Ave Environm, Monastir 5019, Tunisia;
Univ Monastir, Fac Sci Monastir, Lab Microelect & Instrumentat LR13ES, Ave Environm, Monastir 5019, Tunisia;
Univ Monastir, Fac Sci Monastir, Lab Microelect & Instrumentat LR13ES, Ave Environm, Monastir 5019, Tunisia;
MIS capacitor; High-K; Al2O3/p-Si interface; C-V characteristics; Positive and negative interface charge density; Threshold voltage; Numerical simulation;
机译:Ge天然氧化物的热脱附和Ge氮化后外延Ge电容器层上ZrO_2高k栅极电介质的界面特性
机译:金属氧化物半导体电容器中高K栅极电介质HfO_2的可靠性特征
机译:宽带隙高k Y_2O_3作为钝化中间层,用于增强具有高k HfTiO栅极电介质的n-Ge金属氧化物半导体电容器的电性能和高场可靠性
机译:界面陷阱状态对具有超薄高K栅极电介质的MOS器件栅极C-V特性的建模效应
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:单层MoS2和HfO2高介电常数MOS电容器中界面状态的影响和起源
机译:采用NbalON作为高k栅介质的高性能Gaas金属氧化物半导体电容器
机译:在缠绕电容器中使用非晶氧化物作为高温介电材料(pREpRINT)