FAR-INFWED Ge:Ga PHOTOCONDUCTOR DIRECT HYBRID 2D ARRAY

Mikio FUJIW; Norihisa HIROMOTO; Hiroshi SHIBAI

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FAR-INFWED Ge:Ga PHOTOCONDUCTOR DIRECT HYBRID 2D ARRAY

机译：远距离Ge：Ga光导体直接混合二维阵列

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We are developing a 20 X 3 Ge:Ga far-infrared photoconductor array directly hybridized to a Si p-MOS readout integrated circuit (IC) using indium bump technology. We describe the design of the detector array, as well as its fabrication process and performance.

机译：我们正在开发一种20 X 3 Ge：Ga远红外光电导体阵列，该阵列使用铟凸点技术直接与Si p-MOS读出集成电路（IC）混合。我们描述了探测器阵列的设计，制造过程和性能。

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来源
《Journal of the Communications Research Laboratory》 |1999年第3期|p.279-281|共3页
作者
Mikio FUJIW; Norihisa HIROMOTO; Hiroshi SHIBAI;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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