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机译:硅中的电子迁移率和隧穿电流
机译:一种新型的基于GaN的氮化硅谐振隧穿高电子迁移率晶体管在硅衬底上的设计和仿真
机译:热电子陷阱辅助隧穿模型及其在氮化氧化物和AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管泄漏电流中的应用
机译:硅衬底上的AlN成核层中的螺纹位错和AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构中的垂直泄漏电流的影响
机译:通过HFO2 / SiO2纳米厚层的电子隧道电流具有捕获的电荷:电子入射角和硅衬底取向的影响
机译:机械应力对硅和锗金属氧化物半导体器件的影响:沟道迁移率,栅极隧穿电流,阈值电压和栅极堆叠
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌是否可能源于沟道电子的能量弛豫?
机译:[110]硅纳米线中空穴迁移率的显着增强 与电子和体硅相比