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机译:ZnSeGaAs二极管的发光
Materials Science Research Laboratory, Texas Instruments, Incorporated, Dallas, Texas 75222;
机译:含有机物的ZnSe量子点的白光发射及其在白光二极管中的应用
机译:在InP衬底上生长的InGaAsN / GaAsSbⅡ型量子阱二极管的室温光发射为2.86μm
机译:MBE生长的GaAs / AlGaAs横向p-n结二极管发光的砷蒸气压依赖性
机译:InGaAs / AlGaAs V槽量子线发光二极管的高效,窄线宽发射
机译:开发用于可见光激光器和发光二极管的宽带隙II-VI材料。 A. ZnMgCdSe结构的双极掺杂和电致发光。 B.六角形ZnSe基结构
机译:通过使用混合量子阱/量子点结构的具有290nm发射带宽的基于GaAs的超发光发光二极管
机译:错误:“高效,狭窄的线宽激发发射在GaAs / Algaas V槽量子线发光二极管”Appl。物理。吧。 79,4(2001)
机译:单片Gaas / alGaas二极管 - 激光/偏转器件,用于垂直于表面的发光