首页> 外文OA文献 >Erratum: “Efficient, narrow linewidth excitonic emission at room temperature from GaAs/AlGaAs V-groove quantum wire light-emitting diodes” Appl. Phys. Lett. 79, 4 (2001)

【2h】

Erratum: “Efficient, narrow linewidth excitonic emission at room temperature from GaAs/AlGaAs V-groove quantum wire light-emitting diodes” Appl. Phys. Lett. 79, 4 (2001)

机译：错误：“高效，狭窄的线宽激发发射在GaAs / Algaas V槽量子线发光二极管”Appl。物理。吧。 79,4（2001）

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
H. Weman; M.-A. Dupertuis; E. Martinet; A. Rudra; E. Kapon;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2001
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献

1. Erratum: 'Ballistic electron emission spectroscopy/microscopy of self-assembled InAs quantum dots of different sizes embedded in GaAs/AIGaAs heterostructure' [Appl. Phys. Lett. 92, 012101 (2008)] [J] . J. Walachova, J. Zelinka, V. Malina, Applied Physicsletters . 2008,第10期

机译：勘误表：“嵌入GaAs / AIGaAs异质结构中的不同大小的自组装InAs量子点的弹道电子发射光谱/显微镜” [Appl。物理来吧92，012101（2008）]
2. Publisher's Note: 'Quantum shift of band-edge stimulated emission in InGaN-GaN multiple quantum well light-emitting diodes' [Appl. Phys. Lett. 70, 2978 (1997)] [J] . C. J. Sun, M. Zubair Anwar, Q. Chen, Applied Physics Letters . 2011,第14期

机译：出版者注：“ InGaN-GaN多量子阱发光二极管中带边激发发射的量子位移” [Appl。物理来吧70，2978（1997）]
3. Erratum: 'Upconversion electroluminescence in InAs quantum dot light-emitting diodes' [Appl. Phys. Lett. 92, 091121 (2008)] [J] . A. Baumgartner, A. Chaggar, A. Patane, Applied Physicsletters . 2008,第25期

机译：勘误表：“ InAs量子点发光二极管中的上转换电致发光” [Appl。物理来吧92，091121（2008）]
4. Efficient, narrow linewidth emission from InGaAs/AlGaAs V-groove quantum wire light-emitting diodes [C] . Weman H., Sirigu L., Leifer K., Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th . 2002

机译：InGaAs / AlGaAs V槽量子线发光二极管的高效，窄线宽发射
5. Erratum: Temperature dependence of 1∕f noise mechanisms in silicon nanowire biochemical field effect transistors Appl. Phys. Lett. 97 243501 (2010) [O] . Nitin K. Rajan, David A. Routenberg, Jin Chen, -1

机译：勘误表：硅纳米线生化场效应晶体管中1 ∕ f噪声机制的温度依赖性。物理来吧97243501（2010）
6. Erratum: ‘‘Enhancement of second harmonic generation at 1.06 μm using a quasi‐phase‐matched AlGaAs/GaAs asymmetric quantum well structure’’ Appl. Phys. Lett. 65, 3176 (1994) [O] . Xiaohua H. Qu, Harry Ruda, Siegfried Janz, 1996

机译：错误：'使用准相匹配的藻类/ GaAs不对称量子阱结构''''在1.06μm以1.06μm提高二次谐波生成。物理。吧。 65,3176（1994）

Erratum: “Efficient, narrow linewidth excitonic emission at room temperature from GaAs/AlGaAs V-groove quantum wire light-emitting diodes” Appl. Phys. Lett. 79, 4 (2001)

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅