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机译:外延横向过生长生长的非极性GaN的低温光致发光和阴极发光研究
Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, United Kingdom;
机译:外延横向过生长生长的非极性GaN的低温光致发光和阴极发光研究
机译:具有侧壁横向外延过生长(SLEO)的低缺陷密度非极性(1120)a面GaN的电学表征
机译:在通过横向外延过度生长制备的GaN模板上生长的非极性m平面In_xGa_(1-x)N / GaN多量子阱中的辐射寿命和非辐射寿命
机译:由侧壁外延横向过度生长的非极性GaN层:光学证据减少堆叠故障密度
机译:低温金属调制外延生长GaN的光致发光测量。
机译:R平面蓝宝石上外延横向过生长非极性a平面GaN的空间分辨和依赖于方向的拉曼映射
机译:在R平面蓝宝石上的外延横向过度长度非极性A-Plane GaN的空间解决和取向依赖拉曼映射
机译:通过横向外延过度生长在Ge涂层si衬底上生长的低位错密度Gaas外延层。