机译:MoO3缓冲层增强有机发光二极管中空穴注入的研究
State Key Lab of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, People's Republic of China|c|;
机译:同时具有MoO3空穴注入层和MoO3掺杂空穴传输层的有机发光二极管的性能改善
机译:MoO_3缓冲层增强有机发光二极管中空穴注入的研究
机译:基于MoO3作为空穴注入层并优化电荷平衡的蓝色有机发光二极管,具有较低的驱动电压和更高的电源效率
机译:以金属氧化物为空穴注入层的基于Al和Ag的顶部发光有机发光二极管的研究
机译:具有无机掺杂的空穴传输层的有机发光二极管的性能增强。
机译:具有硫氰酸铜空穴注入/空穴传输层的高效固溶处理的多层磷光有机发光二极管
机译:清洁的ITO和MoO3空穴注入层可降解有机发光二极管