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机译:ZnO改性增强Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)0.9Ti0.1O3陶瓷的介电,铁电和电致伸缩性能
Department of Physics and Materials Science, Faculty of Science, Chiang Mai University, 239 Huay Kaew Road, Muang, Chiang Mai 50200, Thailand|c|;
机译:Sa(Zn1 / 3Nb2 / 3)O-3改性0.7Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O-3-0.3Pb(Zr0.52Ti0.48)O-3陶瓷的介电和铁电性能
机译:在宽温度范围内的高介电常数和电致伸缩菌株在弛豫的铁电(1-x)[Pb(Mg1 / 3nb2 / 3)O-3-pbtiO3] -XBA(Zn1 / 3NB2 / 3)O-3固溶溶液中
机译:ZnO修饰增强Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)(0.9)Ti0.1O3陶瓷的铁电有序
机译:形态相界附近的Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-PbTiO3铁电陶瓷的介电性能
机译:关于(Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3)0.65-(PbTiO3)0.35(PMN-PT)压电板传感器(PEPS)的结合应力增强的灵敏度。
机译:硅衬底上生长的001取向的Pr3 +掺杂的Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-PbTiO3铁电纳米膜的合成巨电介质和热电响应
机译:介电,铁电和压电性能为13; (1 x2013; x)Pb0.91La0.09(Zr0.60Ti0.40)O3 x2013; x Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3,13; 0 xA3; x xA3; 1个